Infineon IRF7739L2TRPBF
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF7739L2TRPBF | 0 | 4K | Bulk | 14h | |||||||
| Farnell | IRF7739L2TRPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 21h | |||||||
| Win Source | WS-IRF7739L2TRPBF | 2.800 | 1 | 22h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF7739L2TRPBF | 19.193 | 7 | Tape & Reel | 21h | |||||||
| Anlinkda | IRF7739L2TRPBF | 29.002 | 1d |
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 5.41
Stock
191,259
60,282
Authorized Distributors
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
40 V
Continuous Drain Current (ID)
375 A
375 A
Threshold Voltage
-
2.8 V
Rds On Max
1 mΩ
1 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
3.8 W
125 W
Input Capacitance
11.88 nF
11.88 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-09-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-12-15
LTD Date2021-06-15
Verwandte Teile
InfineonAUIRF7739L2TR
Trans MOSFET N-CH Si 40V 46A 15-Pin Direct-FET L8 T/R Automotive AEC-Q101
onsemiNVMFS5C404NT1G
ON SEMICONDUCTOR - NVMFS5C404NT1G - MOSFET Transistor, N Channel, 378 A, 40 V, 570 µohm, 10 V, 4 V
onsemiNVMFS5C404NLWFT1G
Single N-Channel Power MOSFET 40V, 370A, 0.67mΩ 1500 / Tape & Reel. Pb-Free, Wettable Flanks
onsemiNVMFS5C404NWFT1G
3.9W(Ta),200W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 128nC@ 10 V 1N 40V 700¦Ì¦¸@ 50A,10V 53A,378A 8.4nF@25V SO
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF7739L2TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 40V 1 mOhm 220 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®
Trans MOSFET N-CH Si 40V 46A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
MOSFET, N-CH, 40V, 375A, DIRECTFET L8
MOSFET; 40V, 270A, 1.0 MOHM, 220NC QG
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N-CH 40V 190A 0,7mOhm DiFET2 L8 RoHSconf
Benchmark MOSFETs Product Selection Guide
N CH MOSFET, 40V, 46A, DIRECTFET L8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:46A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0007ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.8V ;RoHS Compliant: Yes
A 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET L8 package rated at 270 amperes optimized with low on resistance for applications such as active ORing. Shipped in Tape and Reel only. Part is not available in bulk, TR is implied in part number.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins11
Number of Terminals9
Technical
Continuous Drain Current (ID)375 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Fall Time42 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance11.88 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.8 W
Rds On Max1 mΩ
Rise Time71 ns
Turn-Off Delay Time56 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Dimensions
Height740 µm
Length9.144 mm
Width7.112 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen