Infineon IRF7314TRPBF

Name: Infineon IRF7314TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF7314TRPBF

Mosfet, Power; Dual P-ch; Vdss -20V; Rds(on) 0.058 Ohm; Id -5.3A; SO-8; Pd 2W; Vgs +/-12

$ 0.521

Obsolete

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Preis und Lagerbestand

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics		IRF7314TRPBF	2	1		0,252	0,252	0,252	0,252	0,252
RS (Formerly Allied Electronics)		IRF7314TRPBF	0	20	Bulk			0,840	0,790	0,790	9h
Farnell	3	IRF7314TRPBF	0	5	Cut Tape		1,518*	1,518*	1,518*	1,518*	2h
Component Stockers USA		IRF7314TRPBF	22.000			0,720	0,720	0,720	0,720	0,720	1d
Weyland Electronics Group Pte. Ltd.		IRF7314TRPBF	2.570	1	Tape & Reel	2,855	2,855	2,855	2,855	2,855	19h

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Farnell

Datasheet7 SeitenVor 21 Jahren

_legacy Avnet

SOS electronic

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

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InfineonIRF7314TRPBF

InfineonIRF7314QPBF

Price @ 1000

$ 0.521

$ 0.66

Stock

2,580,898

50,142

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOIC

Drain to Source Voltage (Vdss)

-20 V

Continuous Drain Current (ID)

5.3 A

5.2 A

Threshold Voltage

-700 mV

Rds On Max

58 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

12 V

Power Dissipation

2 W

2.4 W

Input Capacitance

780 pF

913 pF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1997-11-18

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2024-07-31

LTD Date2025-01-31

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF7314TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;Dual P-Ch;VDSS -20V;RDS(ON) 0.058Ohm;ID -5.3A;SO-8;PD 2W;VGS +/-12

RS (Formerly Allied Electronics)

Dual P-Channel 20V 0.058 Ohm 19 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Future Electronics

Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R / MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC

Win Source

Inductor RF Chip Wirewound 75nH 5% 100MHz 20Q-Factor 135mA 2.1Ohm DCR 0402 Paper T/R

Utmel Electronic

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 20V, 0.058ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

ComSIT Distribution GmbH

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.

Infineon

Transistor Polarity:p Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:5.3A; On Resistance Rds(On):0.049Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:700Mv Rohs Compliant: Yes

Newark

Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Dual / Continuous Drain Current (Id) A = -5.3 / Drain-Source Voltage (Vds) V = -20 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 58 / Gate-Source Voltage V = 12 / Fall Time ns = 49 / Rise Time ns = 40 / Turn-OFF Delay Time ns = 42 / Turn-ON Delay Time ns = 22 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SO-8 / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 2

Distrelec

Bilder

Infineon

TME

element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

Conrad

LZChips

SOS electronic

International Rectifier

South Microelectronics

iiiC

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

IRF 7314 TRPBF
IRF7314-TRPBF
IRF7314TRPBF.
SP001570224

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOIC

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals8

Technical

Continuous Drain Current (ID)5.3 A

Current Rating-5.3 A

Drain to Source Breakdown Voltage-20 V

Drain to Source Resistance58 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V

Element ConfigurationDual

Fall Time49 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)12 V

Input Capacitance780 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation2 W

Min Breakdown Voltage20 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs-700 mV

Number of Channels2

Number of Elements2

On-State Resistance58 mΩ

Package Quantity4000

PackagingTape & Reel

Power Dissipation2 W

Rds On Max58 mΩ

Resistance58 mΩ

Rise Time40 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage-700 mV

Turn-Off Delay Time42 ns

Turn-On Delay Time15 ns

Voltage Rating (DC)-20 V

Dimensions

Height1.75 mm

Length4.9784 mm

Width3.9878 mm