Infineon IRF6711STRPBF
$ 0.855
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRF6711STRPBF herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-11-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFH4255DTRPBF
25V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5mm x 6mm Lead Free package, PG-TISON-8, RoHS
NXP SemiconductorsPSMN3R2-25YLC,115
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
InfineonIRF6706S2TR1PBF
1.8W(Ta),26W(Tc) 20V 2.35V@ 25¦ÌA 20nC@ 4.5V 1N 25V 3.8m¦¸@ 17A,10V 17A,63A 1.81nF@13V
NXP SemiconductorsPSMN3R7-25YLC,115
Power Field-Effect Transistor, 97A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF6711STRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH Si 25V 19A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET SQ package rated at 19 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel only. Part is not available in bulk, TR is implied in part number.
N Channel, MOSFET, 25V, 19A, DirectFET SQ; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:19A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.003ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V ;RoHS Compliant: Yes
Benefits: RoHS Compliant; 100% Rg tested; Low Profile (less than 0.7 mm); Dual Sided Cooling; Optimized for Control FET Applications; Optimized for High Frequency Switching; Low Package Inductance | Target Applications: MultiPhase ControlFET
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins5
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)19 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance3.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Fall Time5.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.81 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation42 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3.8 mΩ
Package Quantity4800
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.2 W
Rds On Max3.8 mΩ
Rise Time13 ns
Turn-Off Delay Time7.1 ns
Turn-On Delay Time7.7 ns
Dimensions
Height700 µm
Length4.826 mm
Width3.95 mm
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRF6711STRPBF herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen