Infineon IRF6612TR1PBF
$ 3.12
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-02-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRF6724MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET / Trans MOSFET N-CH Si 30V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R
STMicroelectronicsSTL150N3LLH6
MOSFET, N-CH, 30V, 150A, 150DEG C, 80W; Available until stocks are exhausted
InfineonIRF6611TR1
Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 30V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF6612TR1PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 7-Pin Direct-FET MX T/R
30V SINGLE N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET, DIRECTFET MX PKG
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:19A; On Resistance, Rds(on):3.3mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:DirectFET MX ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, DIRECTFET, 30V, MX; Transistor Type:Power MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:24A; Resistance, Rds On:2.5mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1.8V; Case Style:MX; Termination Type:SMD; Base Number:6612; Current, Idm Pulse:190A; Power Dissipation:2.8mW; SMD Marking:2.8; Voltage, Vds:30V; Voltage, Vgs th Max:2.25V; Voltage, Vgs th Min:1.35V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins5
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)24 A
Current Rating24 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance3.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time4.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.97 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.8 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-40 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Elements1
Power Dissipation89 W
Rds On Max3.3 mΩ
Resistance3.3 MΩ
Rise Time52 ns
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height506 µm
Length6.35 mm
Width5.05 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen