Infineon IRF6611TR1
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-02-28
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2012-08-25
LTD Date2013-02-25
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF6611TR1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 30V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
MOSFET, N, DIRECTFET, MX; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:32A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.25V; Transistor Case Style:MX; No. of Pins:5; MSL:MSL 3 - 168 hours; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacitance Ciss Typ:4860pF; Current Id Max:22A; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-40°C; Package / Case:MX; Power Dissipation Pd:3.9W; Power Dissipation Pd:3.9W; Pulse Current Idm:220A; Reverse Recovery Time trr Typ:24ns; SMD Marking:6611; Termination Type:SMD; Voltage Vds:30V; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:2.25V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins5
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)27 A
Current Rating27 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance2.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Dual Supply Voltage30 V
Fall Time6.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.86 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation89 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-40 °C
Nominal Vgs2.25 V
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation3.9 W
Rds On Max2.6 mΩ
Reverse Recovery Time24 ns
Rise Time57 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage2.25 V
Turn-Off Delay Time24 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Datenblätter und Dokumente
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