Infineon IRF60R217

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DPAK (TO-252) package, DPAK-3, RoHS
$ 0.58
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Alle Preisnachlässe anzeigen
DistributorSKUMinPkg
Arrow ElectronicsIRF60R2171.4801
Rochester ElectronicsIRF60R21720.000
9h
DigiKey
3
IRF60R217CT-ND2.2041Cut Tape
AvnetIRF60R21702K
11h
Farnell
2
IRF60R21702KCustom Reel
9h

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRF60R217 herunter.

IHS

Datasheet11 SeitenVor 10 Jahren

Upverter

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-7.61%
Powered bySpectra logo

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon IRF60R217 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
EE Concierge
SymbolFußabdruck
SnapEDA
Fußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-01-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)

Verwandte Teile

Diodes Inc.DMTH6010LK3Q-13
Trans MOSFET N-CH 60V 14.8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Details
Diodes Inc.DMTH6010SK3-13
Mosfet, N-Ch, 60V, 70A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMTH6010SK3-13
Details
Diodes Inc.DMTH6010LK3-13
MOSFET N-CH 60V 14.8A/70A TO252 / N-Channel 60 V 14.8A (Ta), 70A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Details
InfineonIRFR1018ETRPBF
Single N-Channel 60 V 8.4 mOhm 69 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
Details
InfineonIRFR1018EPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 7.1Milliohms;ID 56A;D-Pak;PD 110W;VGS +/-20
Details
InfineonAUIRFR1018E
Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF60R217, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DPAK (TO-252) package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 60 V 9.9 mOhm 40 nC HEXFET® Power Mosfet - DPAK
Future Electronics
Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 60V, 0.0099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
IHS
MOSFET, N-CH, 60V, 58A, TO-252; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 58A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.008ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.7V; Power Dissipation Pd: 83W; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Farnell
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Infineon

Bilder

Infineon
RS
element14 APAC
Future Electronics
LZChips

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SP001559662