Infineon IRF520NPBF

Name: Infineon IRF520NPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF520NPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 0.2 Ohm; Id 9.7A; TO-220AB; Pd 48W; Vgs +/-20V

$ 0.418

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	IRF520NPBF	922	1				0,258	0,247	0,247	2d
Newark	2	IRF520NPBF.	922	1		0,683	0,500	0,480	0,466	0,454
Future Electronics	2	IRF520NPBF	250.000	100	Tube			0,380	0,365	0,340
Arrow Electronics	3	IRF520NPBF	27.624	1		0,982	0,518	0,513	0,372	0,354
Rochester Electronics	2	IRF520NPBF	822					0,453	0,376	0,335	17h

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IHS

Datasheet10 SeitenVor 22 Jahren

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

DigiKey

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InfineonIRF520NPBF

Price @ 1000

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Stock

1,547,635

Authorized Distributors

Mount

Through Hole

Case/Package

TO-220AB

Drain to Source Voltage (Vdss)

100 V

Continuous Drain Current (ID)

9.7 A

Threshold Voltage

4 V

Rds On Max

200 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

48 W

Input Capacitance

330 pF

Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1996-01-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF520NPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.2Ohm;ID 9.7A;TO-220AB;PD 48W;VGS +/-20V

RS (Formerly Allied Electronics)

Infineon Technologies N channel HEXFET power MOSFET, 100 V, 9.7 A, TO-220, IRF520NPBF

Burklin Elektronik

Single N-Channel 100 V 0.2 Ohm 25 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

Future Electronics

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS

Infineon SCT

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 9.5 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Through Hole

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.5A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):200mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:9.7A; Current Temperature:25°C; Device Marking:IRF520N; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220AB; Pin Configuration:a; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Power Dissipation Pd:47W; Power Dissipation Pd:47W; Pulse Current Idm:38A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC

Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature | Target Applications: Consumer Full-Bridge; Full-Bridge; Push-Pull

Infineon

Bilder

Micros

Conrad

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

Distrelec

International Rectifier

Rochester Electronics

Newark

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

IRF520N
IRF520NPBF.
SP001571310

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-220AB

Contact PlatingTin

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Continuous Drain Current (ID)9.7 A

Current Rating9.7 A

Drain to Source Breakdown Voltage100 V

Drain to Source Resistance200 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Dual Supply Voltage100 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time23 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance330 pF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation47 W

Min Breakdown Voltage100 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs4 V

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance200 mΩ

Package Quantity1000

PackagingBulk

Power Dissipation48 W

Rds On Max200 mΩ

Recovery Time150 ns

Rise Time23 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage4 V

Turn-Off Delay Time32 ns

Turn-On Delay Time4.5 ns

Voltage Rating (DC)100 V

Dimensions

Height19.1 mm

Lead Pitch2.54 mm

Length10.5156 mm

Width4.69 mm

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