Infineon IRL520NPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 0.18 Ohm; Id 10A; TO-220AB; Pd 48W; Vgs +/-16V
$ 0.73
Obsolete
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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsIRL520NPBF254.372
12h
RS (Formerly Allied Electronics)IRL520NPBF01Bulk
3h
FarnellIRL520NPBF01
12h
Win Source
2
WS-IRL520N31335
13h
Worldway Electronics
2
IRL520N21.2667
7h

Datenblätter und Dokumente

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Newark

Datasheet10 SeitenVor 21 Jahren
Datasheet8 SeitenVor 28 Jahren

IHS

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1998-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2013-10-03
LTD Date2014-04-03

Verwandte Teile

onsemiFQP13N10L
N-Channel Power MOSFET, Logic Level, QFET®, 100 V, 12.8 A, 180 mΩ, TO-220
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NXP SemiconductorsBUK95180-100A,127
Trans MOSFET N-CH 100V 11A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Details
InfineonIRF520NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.2Ohm;ID 9.7A;TO-220AB;PD 48W;VGS +/-20V
Details
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Transistor RFP12N10L MOSFET N-Channel 100 Volt 12 Amp TO-220
Details
VishayIRL520PBF
Single N-Channel 100 V 0.27 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
Details
onsemiFQP13N10
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 100 V, 12.8 A, 180 mΩ, TO-220
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRL520NPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.18Ohm;ID 10A;TO-220AB;PD 48W;VGS +/-16V
RS (Formerly Allied Electronics)
In a Tube of 50, IRL520NPBF N-Channel MOSFET, 10 A, 100 V LogicFET, 3-Pin TO-220AB Infineon
Utmel Electronic
Single N-Channel 100 V 0.22 Ohm 20 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
Future Electronics
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Avnet
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220 Polarity: N Power dissipation: 60 W
Distrelec
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):180mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:48W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:10A; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:48W; Power Dissipation Pd:48W; Pulse Current Idm:35A; SMD Marking:IRL520NPBF; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:2V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Infineon

Bilder

Infineon
RS
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TME
Newark
iiiC
RS (Formerly Allied Electronics)
Distrelec
International Rectifier
Newark

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFIRL520NPBF
  • IRL520N
  • IRL520NPBF.
  • SP001558080