onsemi RFP12N10L

Name: onsemi RFP12N10L
Brand: onsemi
SKU: RFP12N10L

Transistor RFP12N10L MOSFET N-Channel 100 Volt 12 Amp TO-220

$ 0.512

Production

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Distributor		SKU		Min
Avnet	2	58K9511	879	1	1,980	1,470	0,955	0,743	0,641	10h
Newark		RFP12N10L	879	1	1,980	0,946	0,857	0,857	0,857
Verical	4	RFP12N10L	1.550	50			0,598	0,458	0,458
Arrow Electronics		RFP12N10L	1.550	50			0,598	0,458	0,458
Master Electronics		RFP12N10L	2.250	50			0,432	0,411	0,393

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IHS

Datasheet6 SeitenVor 21 Jahren

Newark

JRH Electronics

onsemi

TME

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onsemiRFP12N10L

IntersilRFP12N10L

Price @ 1000

$ 0.512

$ 0.508

Stock

322,181

334

Authorized Distributors

Mount

Through Hole

Case/Package

TO-220AB

Drain to Source Voltage (Vdss)

100 V

Continuous Drain Current (ID)

12 A

Threshold Voltage

2 V

Rds On Max

200 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

10 V

Power Dissipation

60 W

Input Capacitance

900 pF

Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2000-03-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi RFP12N10L, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Transistor RFP12N10L MOSFET N-Channel 100 Volt 12 Amp TO-220

Jameco

N-Channel 100 V 0.2 O Flange Mount Logic Level Power Mosfet - TO-220AB

Future Electronics

N-Channel Logic Level Power MOSFET 100V, 12A, 200mΩ

onsemi

Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

Verical

TRANSISTOR, MOSFET, N, 100V, 12A, TO-220

Component Sense

100 V, 12 A, 0.200 OHM, LOGIC LEVEL, N-CHANNEL POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

ComSIT Distribution GmbH

TRANSISTOR, MOSFET, N, 100V, 12A, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 12A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 5V; Threshold Voltage Vgs: 2V

Farnell

These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors specifically designed for use with logic level (5V) driving sources in applications such as programmable controllers, automotive switching and solenoid drivers. This performance is accomplished through a special gate oxide design which provides full rated conduction at gate biases in the 3V to 5V range, thereby facilitating true on-off power control directly from logic circuit supply voltages. Formerly developmental type TA09526.

Fairchild Semiconductor

Bilder

Rochester Electronics

Component Sense

Jameco

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

RFP12N10L.

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-220AB

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight4.535924 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)12 A

Current12 A

Current Rating12 A

Drain to Source Breakdown Voltage100 V

Drain to Source Resistance200 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time80 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)10 V

Input Capacitance900 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation60 W

Min Breakdown Voltage100 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation60 W

Rds On Max200 mΩ

Resistance200 mΩ

Rise Time70 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage2 V

Turn-Off Delay Time100 ns

Turn-On Delay Time15 ns

Voltage100 V

Voltage Rating (DC)100 V

Dimensions

Height9.4 mm

Length10.67 mm

Width4.83 mm

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