Infineon IRF3710STRLPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 23MILLIOHMS; Id 57A; D2PAK; Pd 200W; Vgs +/-20
$ 1.03
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Alle Preisnachlässe anzeigen
DistributorSKUMinPkg
AvnetIRF3710STRLPBF800800
5h
Newark
2
IRF3710STRLPBF6551Cut Tape
Arrow ElectronicsIRF3710STRLPBF2981
Future Electronics
2
IRF3710STRLPBF42.400800Tape & Reel
Rochester Electronics
2
IRF3710STRLPBF16.663
2h

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRF3710STRLPBF herunter.

IHS

Datasheet11 SeitenVor 12 Jahren
Datasheet10 SeitenVor 12 Jahren

Newark

DigiKey

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
+55.54%
Powered bySpectra logo

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon IRF3710STRLPBF Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
Herunterladen
EE Concierge
SymbolFußabdruck
SnapEDA
Fußabdruck
3DHerunterladen
Ultra Librarian
SymbolFußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-03-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

InfineonIRF3710SPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 23Milliohms;ID 57A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20
Details
InfineonIRF3710ZSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 14Milliohms;ID 59A;D2Pak;PD 160W;VGS +/-20
Details
InfineonIRF3710ZSTRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 14Milliohms;ID 59A;D2Pak;PD 160W;VGS +/-20
Details
onsemiFDB3652
N-Channel 100 V 16 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - D2PAK-3
Details
onsemiFQB55N10TM
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 100 V, 55 A, 26 mΩ, D2PAK
Details
STMicroelectronicsSTB40NF10T4
Mosfet Transistor, N Channel, 40 A, 100 V, 28 Mohm, 10 V, 1.7 V |Stmicroelectronics STB40NF10T4
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF3710STRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 23Milliohms;ID 57A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20
RS (Formerly Allied Electronics)
Single N-Channel 100V 23 mOhm 130 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Future Electronics
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Avnet
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Verical
Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 100V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Semicontronic
MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:57A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):23mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:200W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:57A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:200W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.
Infineon
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 57 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 23 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 47 / Rise Time ns = 58 / Turn-OFF Delay Time ns = 45 / Turn-ON Delay Time ns = 12 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-263 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 200
Distrelec

Bilder

Infineon
Newark
South Microelectronics
TME
element14 APAC
Micros
Conrad
Future Electronics
Distrelec
LCSC
Jameco
LZChips

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRF3710STRLPBF.
  • SP001553984