STMicroelectronics STB40NF10T4
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| element14 APAC | STB40NF10T4 | 0 | 1 | Cut Tape | 7h | |||||||
| Farnell | STB40NF10T4 | 0 | 5 | Cut Tape | 12h | |||||||
| Win Source | WS-STB40NF10T4 | 130 | 55 | 18h | ||||||||
| Worldway Electronics | STB40NF10T4 | 26.895 | 7 | Tape & Reel | 17h | |||||||
| Aztech | STB40NF10T4 | 13.166 | 14h |
Datenblätter und Dokumente
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 1.51
Stock
188,455
39,411
Authorized Distributors
2
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
-
Continuous Drain Current (ID)
50 A
50 A
Threshold Voltage
2.8 V
-
Rds On Max
28 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
150 W
-
Input Capacitance
1.78 nF
1.78 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2018-08-09
LTD Date2019-02-09
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTB35NF10T4
N-Channel 100V - 0.030 Ohm - 40A - D2PAK LOW GATE CHARGE StripFET(TM) POWER MOSFET
onsemiHUF75639S3S
56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs | MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
InfineonIRF3710SPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 23Milliohms;ID 57A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20
InfineonIRF1310NSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.036Ohm;ID 42A;D2Pak;PD 160W;VGS +/-20V
InfineonIRF1310NSTRLPBF
Single N-Channel 100 V 160 W 110 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB40NF10T4, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet Transistor, N Channel, 40 A, 100 V, 28 Mohm, 10 V, 1.7 V |Stmicroelectronics STB40NF10T4
N-Channel 100V - 0.024Ohm - 50A - D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 100V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET,N CH,100V,40A,D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 50A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.028ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.8V; Power D
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Current Rating50 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance28 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time28 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.78 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation150 W
Rds On Max28 mΩ
Resistance28 mΩ
Rise Time63 ns
Threshold Voltage2.8 V
Turn-Off Delay Time84 ns
Turn-On Delay Time28 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.75 mm
Width10.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant