Infineon IRF3710ZSPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 14MILLIOHMS; Id 59A; D2PAK; Pd 160W; Vgs +/-20
$ 1.03
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRF3710ZSPBF herunter.

IHS

Datasheet12 SeitenVor 15 Jahren
Datasheet13 SeitenVor 15 Jahren

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

DigiKey

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
+0.00%

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-05-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-11-16
LTD Date2017-05-16

Verwandte Teile

Single N-Channel 100 V 14 mOhm 140 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
onsemiFDB3652
N-Channel 100 V 16 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - D2PAK-3
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
InfineonIRF3710SPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 23Milliohms;ID 57A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20
N-Channel UltraFET Power MOSFET 100V, 75A, 14mΩ
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 100 V, 55 A, 26 mΩ, D2PAK

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF3710ZSPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 14Milliohms;ID 59A;D2Pak;PD 160W;VGS +/-20
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: D2PAK Polarity: N Power dissipation: 160 W
Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:59A; On Resistance, Rds(on):18mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:D2-PAK ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:59A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):18mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:160W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D2-PAK; Avalanche Single Pulse Energy Eas:170mJ; Capacitance Ciss Typ:2900pF; Current Id Max:59A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:160W; Power Dissipation Pd:160W; Pulse Current Idm:240A; Reverse Recovery Time trr Typ:50ns; SMD Marking:F3710; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V; Voltage Vgs th Min:2V

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SP001574628