Infineon IRF3709SPBF
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF3709SPBF | 0 | 3200 | Bulk | 20h | |||||||
| Farnell | IRF3709SPBF | 0 | 1 | 1d | ||||||||
| Microchip USA | IRF3709SPBF | 270 | 600 | Bulk | 20h | |||||||
| Win Source | WS-IRF3709SPBF | 8.010 | 45 | 4h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF3709SPBF | 8.862 | 7 | Tube | 3h |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-02-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15
Verwandte Teile
InfineonIRF3709STRLPBF
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK / Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
InfineonIRL2203NSTRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7 Milliohms;ID 116A;D2Pak;PD 180W;VGS +/-16V
STMicroelectronicsSTB85NF3LLT4
N-Channel 30V - 0.006Ohm - 85A - D2PAK LOOhm GATE CHARGE StripFET(TM) II POWER MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF3709SPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 6.4Milliohms;ID 90A;D2Pak;PD 120W;VGS +/-20
Single N-Channel 30 V 9 mOhm 27 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Current Rating90 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Dual Supply Voltage30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.672 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.1 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance9 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation3.1 W
Rds On Max9 mΩ
Resistance9 MΩ
Rise Time171 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen