Infineon IRF3709ZSTRRPBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-01-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31
Verwandte Teile
onsemiNTB90N02T4
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 90A Ta 90A 85W 60ns
InfineonIRF3709STRLPBF
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK / Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
InfineonIRF3709SPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 6.4Milliohms;ID 90A;D2Pak;PD 120W;VGS +/-20
InfineonIRL3103STRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 12 Milliohms;ID 64A;D2Pak;PD 94W;VGS +/-16V
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF3709ZSTRRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 30 V 6.3 mOhm 17 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 30V 87A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0805 47uF 10volts *Derate Voltage/Temp
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:87A; On Resistance, Rds(on):6.3mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:D2PAK ;RoHS Compliant: Yes
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Current Rating87 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance6.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time4.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.13 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation79 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance6.3 mΩ
Package Quantity800
PackagingBulk
Power Dissipation79 W
Rds On Max6.3 mΩ
Resistance6.3 MΩ
Rise Time41 ns
Turn-Off Delay Time16 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen