Infineon IRL2203NSTRLPBF

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 7 Milliohms; ID 116A; D2Pak; PD 180W; VGS +/-16V
$ 3.54
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)IRL2203NSTRLPBF0800Bulk
20h
Farnell
2
IRL2203NSTRLPBF01Cut Tape
3h
Win SourceWS-IRL2203NSTRLPBF1.8904
5h
Worldway ElectronicsIRL2203NSTRLPBF9.1737Tape & Reel
3h
AztechIRL2203NSTRLPBF265
1d

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet11 SeitenVor 15 Jahren
Datasheet10 SeitenVor 15 Jahren

Newark

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

DigiKey

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1996-11-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-10-31
LTD Date2021-04-30

Verwandte Teile

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Details
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MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.006Ohm;ID 140A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-16V
Details
STMicroelectronicsSTB85NF3LLT4
N-Channel 30V - 0.006Ohm - 85A - D2PAK LOOhm GATE CHARGE StripFET(TM) II POWER MOSFET
Details
onsemiNTB90N02T4G
Power MOSFET 24V 90A 5.8 mOhm Single N-Channel D2PAK
Details
onsemiNTB90N02T4
Trans MOSFET N-CH 24V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRL2203NSTRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7 Milliohms;ID 116A;D2Pak;PD 180W;VGS +/-16V
RS (Formerly Allied Electronics)
Single N-Channel 30 V 7 mOhm 60 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Future Electronics
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fully Avalanche Rated; Logic Level
Infineon
Trans MOSFET N-CH 30V 116A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Avnet
MOSFET, N-CH, 30V, 116A, TO-263AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 116A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.007ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Po
Farnell
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IHS
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:116A; Package/Case:D2-PAK; Power Dissipation, Pd:170W; Continuous Drain Current - 100 Deg C:82A; Drain Source On Resistance @ 10V:7mohm ;RoHS Compliant: Yes
Newark

Bilder

Infineon
Newark
Farnell
TME
Future Electronics
Rochester Electronics
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFIRL2203NSTRLPBF
  • SP001568324