Infineon IRF3709PBF
$ 0.6
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IRF3709PBF | 2.642 | 17h | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF3709PBF | 0 | 3K | Bulk | 6h | |||||||
| Farnell | IRF3709PBF | 0 | 1 | 17h | ||||||||
| HQonline | DS0081064 | 341 | 100 | >1w | ||||||||
| Microchip USA | IRF3709 | 296 | 600 | Tray | 6d |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-02-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2012-12-28
LTD Date2013-06-28
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF3709PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=90A⑥) | MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
Single N-Channel 30 V 9 mOhm 41 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
MOSFET, 30V, 90A, 9 MOHM, 27 NC QG, TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
MOSFET, N, 30V, 90A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:90A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:120W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:90A; Junction to Case Thermal Resistance A:1.04°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:9ohm; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:120W; Power Dissipation Pd:120W; Pulse Current Idm:360A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Current Rating90 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Dual Supply Voltage30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.672 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.1 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance9 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation3.1 W
Rds On Max9 mΩ
Resistance9 Ω
Rise Time171 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height20.56 mm
Length10.5156 mm
Width4.69 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen