Infineon IRL8113PBF
$ 2.38
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-01-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRL8113PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET, N Ch., 30V, 105A, 6 MOHM, 23 NCQG, TO-220AB, Pb-Free
Single N-Channel 30 V 6 mOhm 23 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 105A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Ultra-Low Gate Impedance; Logic Level
N Channel Mosfet, 30V, 105A, To-220Ab; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:105A; On Resistance Rds(On):0.006Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V Rohs Compliant: Yes
MOSFET, N, 30V, 105A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:105A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.25V; Power Dissipation Pd:110W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:105A; Junction to Case Thermal Resistance A:1.32°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:6ohm; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:110W; Power Dissipation Pd:110W; Pulse Current Idm:420A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.25V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Current Rating105 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Dual Supply Voltage30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.84 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.25 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance6 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation110 W
Rds On Max6 mΩ
Recovery Time27 ns
Resistance6 MΩ
Rise Time38 ns
Threshold Voltage2.25 V
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height19.15 mm
Length10.5156 mm
Width4.69 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen