Infineon IRF2807ZSPBF
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1
3
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
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Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
75 V
75 V
Continuous Drain Current (ID)
75 A
75 A
75 A
Threshold Voltage
4 V
-
-
Rds On Max
9.4 mΩ
9.4 mΩ
9.4 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
170 W
170 W
170 W
Input Capacitance
3.27 nF
3.27 nF
3.27 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-04-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2016-11-16
LTD Date2017-05-16
Verwandte Teile
InfineonIRF1010ZSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 5.8Milliohms;ID 75A;D2Pak;PD 140W;VGS +/-20
InfineonAUIRFS3607
Automotive Q101 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF2807ZSPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2Pak Package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature
Trans MOSFET N-CH 75V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0094ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N, 75V, 89A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:89A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):9.4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:170W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D2-PAK; Current Id Max:75A; Junction to Case Thermal Resistance A:0.9°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:9.4mohm; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:170W; Power Dissipation Pd:170W; Pulse Current Idm:350A; Termination Type:SMD; Voltage Vds:75V; Voltage Vds Typ:75V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Current Rating75 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance9.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Dual Supply Voltage75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.27 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation170 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance9.4 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation170 W
Rds On Max9.4 mΩ
Resistance9.4 mΩ
Rise Time79 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Voltage Rating (DC)75 V
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen