Infineon IRF2807ZSTRLPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 75V; Rds(on) 7.5MILLIOHMS; Id 75A; D2PAK; Pd 170W; Vgs +/-20
$ 1.11
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsIRF2807ZSTRLPBF27.268
5h
Future ElectronicsIRF2807ZSTRLPBF0800Tape & Reel
RS (Formerly Allied Electronics)IRF2807ZSTRLPBF010Bulk
22h
Farnell
2
IRF2807ZSTRLPBF01Cut Tape
1d
Microchip USAIRF2807ZSTRLPBF2.056600
21h

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet13 SeitenVor 15 Jahren
Datasheet12 SeitenVor 15 Jahren

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

DigiKey

Bestandsverlauf

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
InfineonIRF2807ZSTRLPBF
InfineonIRF2807ZSTRLPBF
InfineonIRF2807ZSTRLPBF
Price @ 1000
$ 1.11
$ 1.11
$ 1.11
Stock
259,873
259,873
259,873
Authorized Distributors
4
4
4
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
75 V
75 V
Continuous Drain Current (ID)
75 A
75 A
75 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
9.4 mΩ
9.4 mΩ
9.4 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
170 W
170 W
170 W
Input Capacitance
3.27 nF
3.27 nF
3.27 nF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-04-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31

Verwandte Teile

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Details
onsemiNTB75N06G
Power MOSFET 60V 75A 9.5 mOhm Single N-Channel D2PAK
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF2807ZSTRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 7.5Milliohms;ID 75A;D2Pak;PD 170W;VGS +/-20
RS (Formerly Allied Electronics)
Single N-Channel 75V 9.4 mOhm 110 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
Future Electronics
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2Pak Package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Verical
Advanced Process Technology | MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Win Source
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0094ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IHS
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:75V; Continuous Drain Current Id:75A; On Resistance Rds(On):0.0075Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V Rohs Compliant: Yes
Newark
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Infineon

Bilder

Infineon
Augswan
element14 APAC
RS (Formerly Allied Electronics)
RS APAC
Newark
Future Electronics
UTSource
LZChips
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRF2807ZS
  • IRF2807ZSTRLPBF.
  • SP001564328