Infineon IRF1405STRLPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 55V; Rds(on) 4.6MILLIOHMS; Id 131A; D2PAK; Pd 200W; Vgs +/-2
$ 1.21
Production
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DistributorSKUMinPkg
AvnetIRF1405STRLPBF105.600800
5h
Newark
3
IRF1405STRLPBF3.7641Cut Tape
Arrow Electronics
4
IRF1405STRLPBF4.8001
Future Electronics
2
IRF1405STRLPBF17.600800Tape & Reel
Rochester Electronics
2
IRF1405STRLPBF11.279
2h

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet11 SeitenVor 15 Jahren

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

DigiKey

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-05-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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N-channel 40 V, 0.0043 Ohm typ., 120 A StripFET II Power MOSFET in D2PAK package
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF1405STRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 4.6Milliohms;ID 131A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-2
RS (Formerly Allied Electronics)
Single N-Channel 55 V 5.3 mOhm 260 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Win Source
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
IRF1405STRLPBF,MOSFET, 55V, 13 1A, 5.3 MOHM, 170 NC QG, D2-P
Jameco
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IHS
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
Infineon
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:55V; Continuous Drain Current Id:131A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:200W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRF1405STRLPBF.
Newark
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 131 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 55 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 5.3 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 110 / Rise Time ns = 190 / Turn-OFF Delay Time ns = 130 / Turn-ON Delay Time ns = 13 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = D2PAK / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 200
Distrelec

Bilder

Infineon
RS (Formerly Allied Electronics)
Newark
TME
element14 APAC
RS
Future Electronics
LZChips

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • 1405STRLPBF
  • IRF1405STRLPBF.
  • SP001571200