Infineon IRF1404ZSTRLPBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-03-06
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRL7833SPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.1Milliohms;ID 150A;D2Pak;PD 140W;VGS +/-2
STMicroelectronicsSTB200NF04T4
STB200NF04T4 N-channel MOSFET Transistor, 120 A, 40 V, 3-Pin D2PAK
InfineonIRL3803STRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.006Ohm;ID 140A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-16V
STMicroelectronicsSTB85NF3LLT4
N-Channel 30V - 0.006Ohm - 85A - D2PAK LOOhm GATE CHARGE StripFET(TM) II POWER MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF1404ZSTRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 190 A, 40 V, 3-Pin D2PAK Infineon IRF1404ZSPBF
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 40V 3.7 mOhm 150 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature
Trans MOSFET N-CH 40V 190A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:40V; Continuous Drain Current, Id:190A; On Resistance, Rds(on):3.7mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:D2PAK ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance3.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Fall Time58 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.34 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3.7 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation200 W
Rds On Max3.7 mΩ
Rise Time110 ns
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen