Infineon IRL7833STRLPBF
$ 5.62
Obsolete
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1
Tape & Reel
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Alternative Teile
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Price @ 1000
$ 5.62
$ 2.46
Stock
125,345
106,104
Authorized Distributors
1
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
75 A
75 A
Threshold Voltage
-
1.4 V
Rds On Max
3.8 mΩ
3.8 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
140 W
140 W
Input Capacitance
4.17 nF
4.17 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-07-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31
Verwandte Teile
InfineonIRL7833SPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.1Milliohms;ID 150A;D2Pak;PD 140W;VGS +/-2
STMicroelectronicsSTB155N3LH6
N-channel 30 V, 0.0024 Ohm, 80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in D2PAK package
onsemiNTB125N02RT4
Cut Tape (CT) Surface Mount N-CHANNEL Single Mosfet Transistor 120.5A 1.98W 21ns 24V
InfineonIRL3713STRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 2.6Milliohms;ID 260A;D2Pak;PD 330W;VGS +/-2
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRL7833STRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 30V 3.8 mOhm 32 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Trans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Ultra-Low Gate Impedance; Logic Level
MOSFET, N-CH, 30V, 150A, TO-263-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 150A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0031oh; Available until stocks are exhausted Alternative available
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance3.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.17 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3.8 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation140 W
Rds On Max3.8 mΩ
Resistance3.8 MΩ
Rise Time50 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen