Infineon IRF1404ZPBF

Name: Infineon IRF1404ZPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF1404ZPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 40V; Rds(on) 2.7MILLIOHMS; Id 190A; TO-220AB; Pd 220W; -55DE

$ 0.799

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics	3	IRF1404ZPBF	15.100	1		1,052	0,893	0,675	0,581	0,581
Rochester Electronics	2	IRF1404ZPBF	61.192					0,866	0,719	0,641	23h
DigiKey		IRF1404ZPBF-ND	693	1	Tube	2,460	1,581	1,076	0,790	0,638
Newark		IRF1404ZPBF	0	1		2,480	1,690	1,070	0,977	0,977
Future Electronics	2	IRF1404ZPBF	0	50	Tube			0,945	0,895	0,850

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IHS

Datasheet12 SeitenVor 13 Jahren

Datasheet13 SeitenVor 13 Jahren

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

DigiKey

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InfineonIRF1404ZPBF

Price @ 1000

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Stock

752,611

Authorized Distributors

Mount

Through Hole

Case/Package

TO-220AB

Drain to Source Voltage (Vdss)

40 V

Continuous Drain Current (ID)

75 A

Threshold Voltage

4 V

Rds On Max

3.7 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

200 W

Input Capacitance

4.34 nF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2003-03-06

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 weeks ago)

LTB Date2012-06-01

LTD Date2012-09-01

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF1404ZPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 2.7Milliohms;ID 190A;TO-220AB;PD 220W;-55de

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 40 V 3.7 mOhm 150 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

Semicontronic

40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package

International Rectifier

Trans MOSFET N-CH 40V 190A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Verical

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature | Target Applications: AC-DC; Consumer Full-Bridge; Full-Bridge; Push-Pull

Infineon

N CH MOSFET, 40V, 190A, TO-220AB; Transi; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:190A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):3.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:220W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:190A; Junction to Case Thermal Resistance A:0.65°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:3.7ohm; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:220W; Power Dissipation Pd:220W; Pulse Current Idm:750A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:40V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC

Bilder

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

Distrelec

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

IRF1404Z
SP001574476

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-220AB

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Continuous Drain Current (ID)75 A

Current Rating75 A

Drain to Source Breakdown Voltage40 V

Drain to Source Resistance3.7 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)40 V

Dual Supply Voltage40 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time58 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance4.34 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation200 W

Min Breakdown Voltage40 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs4 V

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance3.7 mΩ

Package Quantity1000

PackagingBulk

Power Dissipation200 W

Rds On Max3.7 mΩ

Recovery Time42 ns

Resistance3.7 Ω

Rise Time110 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage4 V

Turn-Off Delay Time36 ns

Turn-On Delay Time18 ns

Voltage Rating (DC)40 V

Dimensions

Height20.56 mm

Length10.54 mm

Width4.69 mm

Datenblätter und Dokumente

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