Infineon IRF4104PBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 40V; Rds(on) 4.3MILLIOHMS; Id 120A; TO-220AB; Pd 140W; -55DE
$ 0.719
Obsolete
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Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
Arrow ElectronicsIRF4104PBF5961
Rochester ElectronicsIRF4104PBF225.736
10h
RS (Formerly Allied Electronics)IRF4104PBF05Bulk
2h
AvnetIRF4104PBF01K
12h
Farnell
2
IRF4104PBF01
1d

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet12 SeitenVor 15 Jahren
Datasheet13 SeitenVor 15 Jahren
Datasheet13 SeitenVor 22 Jahren

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RS (Formerly Allied Electronics)

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
InfineonIRF4104PBF
InfineonAUIRF4104
Price @ 1000
$ 0.719
$ 2.705
Stock
926,141
346,957
Authorized Distributors
6
3
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
40 V
Continuous Drain Current (ID)
75 A
75 A
Threshold Voltage
4 V
2 V
Rds On Max
5.5 mΩ
5.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
140 W
140 W
Input Capacitance
3 nF
3 nF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-04-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-08-19
LTD Date2010-02-19

Verwandte Teile

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF4104PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 4.3Milliohms;ID 120A;TO-220AB;PD 140W;-55de
RS (Formerly Allied Electronics)
Single N-Channel 40 V 5.5 mOhm 100 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
Future Electronics
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 140 W
Distrelec
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET, N, 40V, 120A, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 120A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 0.0043ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power
Farnell
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Infineon

Bilder

Infineon
DKO Electronshik
Farnell
TME
Farnell
RS (Formerly Allied Electronics)
LZChips
UTSource
Distrelec
International Rectifier
Rochester Electronics
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Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • 4104PBF
  • IRF4104
  • IRF4104/PBF
  • IRF4104PBF.
  • IRF4104PBF..
  • SP001554010