Infineon IRF1404STRLPBF

Name: Infineon IRF1404STRLPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF1404STRLPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 40V; Rds(on) 0.0035 Ohm; Id 162A; D2PAK; Pd 200W; Vgs +/-20V

$ 1.18

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IRF1404STRLPBF	1.582	1	Cut Tape	3,490	2,380	1,740	1,740	1,740
Arrow Electronics	4	IRF1404STRLPBF	822	1		2,864	2,020	1,453	1,091	1,091
Rochester Electronics	2	IRF1404STRLPBF	1.799					1,350	1,120	0,999	6h
DigiKey	3	IRF1404STRLPBFCT-ND	596	1	Cut Tape	3,410	2,214	1,535	1,535	1,535
Avnet		IRF1404STRLPBF	0	800					0,969	0,843	8h

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IHS

Datasheet11 SeitenVor 22 Jahren

Datasheet12 SeitenVor 22 Jahren

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

DigiKey

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InfineonIRF1404STRLPBF

InfineonAUIRF1404S

Price @ 1000

$ 1.18

$ 6.28

Stock

365,186

210,967

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

D2PAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

40 V

Continuous Drain Current (ID)

75 A

Threshold Voltage

2 V

Rds On Max

4 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

3.8 W

Input Capacitance

7.36 nF

Lieferkette

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF1404STRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 0.0035Ohm;ID 162A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20V

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 40 V 0.004 Ohm 200 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Future Electronics

In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 162 A, 40 V, 3-Pin D2PAK Infineon IRF1404STRLPBF

Utmel Electronic

Power MOSFET, N Channel, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Avnet

40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Verical

Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature

Infineon

MOSFET, N-CH, 40V, 162A TO-263; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 162A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 0.0035ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 200W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: HEXFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Farnell

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 162 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 40 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 4 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 26 / Rise Time ns = 140 / Turn-OFF Delay Time ns = 72 / Turn-ON Delay Time ns = 17 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = D2PAK / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 200

Distrelec

Bilder

Infineon

RS (Formerly Allied Electronics)

Newark

TME

Farnell

Future Electronics

LZChips

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

SP001570024

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageD2PAK

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)75 A

Current Rating162 A

Drain to Source Breakdown Voltage40 V

Drain to Source Resistance4 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)40 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time26 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance7.36 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation200 W

Min Breakdown Voltage40 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance4 mΩ

Package Quantity800

Power Dissipation3.8 W

Rds On Max4 mΩ

Resistance4 MΩ

Rise Time140 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time72 ns

Turn-On Delay Time17 ns

Voltage Rating (DC)40 V

Dimensions

Height5.084 mm

Length10.668 mm

Width9.65 mm

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