Infineon IRF1010ZSTRLPBF
$ 1.622
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-03-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF1010ZSTRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 55 V 7.5 mOhm 95 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 75 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature
Trans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:55V; Continuous Drain Current Id:75A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:140W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon IRF1010ZSTRLPBF.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +75.30%
CAD-Modelle
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0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance7.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Fall Time92 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.84 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance7.5 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation140 W
Rds On Max7.5 mΩ
Rise Time150 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen