Infineon IRF1018ESPBF
$ 0.389
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
1 Teil verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRF1018ESPBF herunter.
Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.389
$ 1.639
Stock
171,622
755,690
Authorized Distributors
2
4
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
79 A
79 A
Threshold Voltage
4 V
4 V
Rds On Max
8.4 mΩ
8.4 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
110 W
110 W
Input Capacitance
2.29 nF
2.29 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-02-28
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTB60NF06T4
N-Channel 60V - 0.014Ohm - 60A - D2APK StripFET(TM) II POWER MOSFET
InfineonIRFS3607PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 7.34 Milliohms;ID 80A;D2Pak;PD 140W;VGS +/-2
InfineonIRFZ44VZSPBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
InfineonIRFZ48VSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 12 Milliohms;ID 72A;D2Pak;PD 150W;VGS +/-20V
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF1018ESPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 7.1Milliohms;ID 79A;D2Pak;PD 110W;VGS +/-20
Single N-Channel 60 V 8.4 mOhm 46 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:60V; Continuous Drain Current, Id:79A; On Resistance, Rds(on):8.4mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:4V ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
1 Teil verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)79 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance8.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time46 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.29 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance8.4 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation110 W
Rds On Max8.4 mΩ
Recovery Time39 ns
Resistance8.4 MΩ
Rise Time35 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRF1018ESPBF herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen