Infineon IRF1010NSTRLPBF

Name: Infineon IRF1010NSTRLPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF1010NSTRLPBF

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 11 Milliohms; ID 85A; D2Pak; PD 180W; VGS +/-20V

$ 0.817

NRND

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IRF1010NSTRLPBF	682	1	Cut Tape	2,750	1,850	1,330	1,330	1,330
Arrow Electronics	2	IRF1010NSTRLPBF	85	1		0,682	0,671	0,659	0,659	0,659
Rutronik		TMOSP11686	800	800					0,628	0,502	8h
Rochester Electronics		IRF1010NSTRLPBF	549					0,985	0,817	0,729	1h
DigiKey	3	IRF1010NSTRLPBFCT-ND	1.570	1	Cut Tape	2,710	1,742	1,192	1,192	1,192

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IHS

Datasheet11 SeitenVor 22 Jahren

Newark

Upverter

RS (Formerly Allied Electronics)

Burklin Elektronik

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Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1999-05-25

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF1010NSTRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 11 Milliohms;ID 85A;D2Pak;PD 180W;VGS +/-20V

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 55V 11 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Future Electronics

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Verical

MOSFET, N-CH, 55V, 85A, TO-263AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 85A; Drain Source Voltage Vds: 55V; On Resistance Rds(on): 0.011ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 180W; Transistor Case Style: TO-263AB; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: HEXFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Farnell

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:85A; On Resistance, Rds(on):11mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Package/Case:D2-Pak; Power Dissipation, Pd:180W ;RoHS Compliant: Yes

Newark

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.

Infineon

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 85 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 55 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 11 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 48 / Rise Time ns = 76 / Turn-OFF Delay Time ns = 39 / Turn-ON Delay Time ns = 13 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-263 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 180

Distrelec

Bilder

Infineon

RS (Formerly Allied Electronics)

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

1010NSTRLPBF
SP001571236

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageD2PAK

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)75 A

Current Rating85 A

Drain to Source Breakdown Voltage55 V

Drain to Source Resistance11 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)55 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time48 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance3.21 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation170 W

Min Breakdown Voltage55 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance11 mΩ

Package Quantity800

Power Dissipation3.8 W

Rds On Max11 mΩ

Rise Time76 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time39 ns

Turn-On Delay Time13 ns

Voltage Rating (DC)55 V

Dimensions

Height4.957 mm

Length10.668 mm

Width9.65 mm

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