Infineon IRF100B201
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Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF100B201, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 100 V 4.2 mOhm 170 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 192 A, 0.0042 ohm, TO-220AB, Through Hole
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 192A I(D), 100V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N-CH, 100V, 192A, TO-220AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 192A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0035ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V;
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 192 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 3.5 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 100 / Rise Time ns = 97 / Turn-OFF Delay Time ns = 110 / Turn-ON Delay Time ns = 17 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-220 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 441
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)192 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance4.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance9.5 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation441 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance4.2 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation441 W
Rds On Max4.2 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time110 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height19.15 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen