STMicroelectronics STP150N10F7
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MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3 / N-Channel 75 V 120A (Tc) 245W (Tc) Through Hole TO-220-3
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP150N10F7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 100 V, 0.0036 Ohm typ., 110 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
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Mosfet, N-Ch, 100V, 110A, To-220; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:110A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4.5V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP150N10F7
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)110 A
Drain to Source Resistance4.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time33 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance8.115 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max4.2 mΩ
Rise Time57 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time72 ns
Turn-On Delay Time33 ns
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