Infineon IRFI4110GPBF
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-01-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP80NF10FP
N-Channel 100V - 0.012Ohm - 80A - TO-220FP LOW GATE CHARGE STripFET(TM) POWER MOSFET
STMicroelectronicsSTP75NF75FP
N channel 75 V, 0.0095 Ohm typ., 80 A STripFET II Power MOSFET in TO-220FP package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFI4110GPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 100V, 72A, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; C
Single N-Channel 100 V 4.5 mOhm 190 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB FullPak, FULLPAK220-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak
Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 100V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 100V, 72A, TO; N CH POWER MOSFET, HEXFET, 100V, 72A, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:72A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):3.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 72 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 3.7 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 71 / Rise Time ns = 58 / Turn-OFF Delay Time ns = 81 / Turn-ON Delay Time ns = 24 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-220 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 61
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)72 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance4.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time71 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance9.54 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation61 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance4.5 mΩ
Package Quantity2000
Power Dissipation61 W
Rds On Max4.5 mΩ
Resistance4.5 MΩ
Rise Time58 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time81 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Dimensions
Height19.8 mm
Length10.75 mm
Width4.83 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen