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Infineon IPW65R110CFDFKSA1

MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3 N-Channel 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
$ 3.44
Production
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Rochester Electronics
IPW65R110CFDFKSA1
26.660
USD
3,850
3,440
3,240
23h
Microchip USA
IPW65R110CFDFKSA1
125
150
Tube
USD
15,438
15,438
>1wk
Component Stockers USA
IPW65R110CFDFKSA1
86
USD
7,790
6,600
6,600
6,600
6,600
>1wk
Weyland Electronics Group Pte. Ltd.
IPW65R110CFD
861
1
Tape & Reel
USD
1,444
1,444
1,444
1,444
1,444
3d
Win Source
2
WS-IPW65R110CFD
39.000
24
USD
2,131
1,833
1,833
24m

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet20 SeitenVor 14 Jahren

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
InfineonIPW65R110CFDFKSA1
InfineonIPW65R110CFDAFKSA1
Price @ 1000
$ 3.44
$ 3.784
Stock
369,774
222,046
Authorized Distributors
1
5
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-247
TO-247
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
650 V
Continuous Drain Current (ID)
31.2 A
31.2 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
110 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
277.8 W
277.8 W
Input Capacitance
-
3.24 nF

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-06-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 8 months ago)
LTB Date2023-08-31
LTD Date2024-02-29

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N-channel 650 V, 0.067 Ohm typ., 35 A, MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
Details
STMicroelectronicsSTW42N65M5
N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 33 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
Details
STMicroelectronicsSTW36N55M5
N-channel 550 V, 0.06 Ohm, 33 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247 package
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IPW65R110CFDFKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3 N-Channel 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Eurochip Technologies LTD
Power Field-Effect Transistor, 31.2A I(D), 650V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Semicontronic
277.8W 20V 4.5V 118nC@ 10V 1individualNChannel 700V 110mΩ@ 10V 31.2A 3.24nF@ 100V TO-247-3 Through hole mounting 16.13mm*5.21mm*21.1mm
UnikeyIC
MOSFET, N CH, 700V, 31.2A, TO-247-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 31.2A; Drain Source Voltage Vds: 700V; On Resistance Rds(on): 0.09; Available until stocks are exhausted Alternative available
Farnell
Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7650V CoolMOS™ CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS™ MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and therefore better EMI behavior gives this product a clear advantage in comparison with competitor parts.
Infineon

Bilder

Augswan
Newark
Farnell
TME
RS
UTSource
Future Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IPW65R110CFD
  • SP000895232