STMicroelectronics STW36N55M5
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-03-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2021-01-10
LTD Date2021-07-10
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTW45N65M5
N-channel 650 V, 0.067 Ohm typ., 35 A, MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW38N65M5
N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW42N65M5
N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 33 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
InfineonIPW65R099C6FKSA1
278W 20V 2.5V 127nC@ 10V 1N 650V 99m¦¸@ 10V 38A 2.78nF@ 100V TO-247 16.13mm*5.21mm*21.1mm
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW36N55M5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 550 V, 0.06 Ohm, 33 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247 package
STW36N55M5 N-channel MOSFET Transistor, 33 A, 600 V, 3-Pin TO-247
Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 550V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Mosfet, N-Ch, 550V, 33A, To-247; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:550V; Continuous Drain Current Id:33A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW36N55M5
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)33 A
Drain to Source Breakdown Voltage550 V
Drain to Source Resistance80 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)550 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.95 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage550 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation190 W
Rds On Max80 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time56 ns
Turn-On Delay Time56 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant