STMicroelectronics STW34N65M5
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-02-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2025-09-29
LTD Date2026-03-29
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTW38N65M5
N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW45N65M5
N-channel 650 V, 0.067 Ohm typ., 35 A, MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW36N55M5
N-channel 550 V, 0.06 Ohm, 33 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247 package
InfineonIPW65R110CFDAFKSA1
N-Channel 650 V 31.2 A 277.8 W 110 mOhm Through Hole Mosfet - PG-TO247-3
InfineonIPW65R095C7XKSA1
In a Pack of 2, N-Channel MOSFET, 24 A, 700 V, 3-Pin TO-247 Infineon IPW65R095C7XKSA1
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW34N65M5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 650 V, 0.09 Ohm, 28 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247 package
STW34N65M5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 28 A, 710 V, 3-PIN TO-247
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 650V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
STMicroelectronics NChannel EnhancedMOSTube MDmesh M5series, Vds=710 V, 28 A, TO-247encapsulation, Through hole mounting, 3Pin
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)28 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance110 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.7 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation190 W
Rds On Max110 mΩ
Resistance110 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time59 ns
Turn-On Delay Time59 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant