STMicroelectronics STW35N65M5
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW35N65M5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 650 V, 0.085 Ohm, 27 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247
Trans MOSFET N-CH Si 650V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube / MOSFET N-CH 650V 27A TO-247
650V, 27A, 0.085 OHM MDMESH N-CHANNEL V POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 650V, 0.098ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)27 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance98 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance3.75 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation160 W
Rds On Max98 mΩ
Resistance98 MΩ
Rise Time12 ns
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time60 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant