STMicroelectronics STW56N65M2
$ 5.263
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | STW56N65M2 | 150 | 600 | 7h | ||||||||
| Newark | STW56N65M2 | 23 | 1 | |||||||||
| TME | STW56N65M2 | 20 | 1 | 4h | ||||||||
| DigiKey | 497-15594-5-ND | 92 | 1 | Tube | ||||||||
| Future Electronics | STW56N65M2 | 0 | 600 | Tube |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-12-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTW45N65M5
N-channel 650 V, 0.067 Ohm typ., 35 A, MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
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600V, 0.07OHM, N-CHANNEL MOSFET, / N-Channel 600 V 53.5A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
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Power MOSFET, AEC-Q101, N Channel, 650 V, 43.3 A, 0.072 ohm, TO-247, Through Hole
STMicroelectronicsSTW56N60DM2
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW56N65M2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel 650 V 62 mOhm Flange Mount MDmesh M2 Power Mosfet - TO-247
STW56N65M2 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 49 A, 650 V, 3-PIN TO-247
MOSFET, N-CH, 650V, 49A, TO-247; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:650V; Continuous Drain Current Id:49A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)49 A
Drain to Source Resistance62 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance3.9 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation358 W
Number of Elements1
Rds On Max62 mΩ
Turn-Off Delay Time146 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
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