Infineon IPW65R070C6FKSA1
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-03-16
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)
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STMicroelectronicsSTW56N65M2
N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
STMicroelectronicsSTW57N65M5
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Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPW65R070C6FKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 53.5 A, 0.063 ohm, TO-247, Through Hole
CoolMOS™ C6 combines Infineon's experience as the leading superjunction MOSFET supplier with best-in-class innovation, PG-TO247-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET, N-CH, 650V, 53.5A, TO-247-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 53.5A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.063ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V
CoolMOS™ C6 combines Infineon's experience as the leading superjunction MOSFET supplier with best-in-class innovation. The C6 devices provide all benefits of a fast switching superjunction MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, compact, lighter and cooler.600V CoolMOS™ C6 is replacement for 600V CoolMOS™ C3650V CoolMOS™ C6 is replacement for 650V CoolMOS™ C3
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)53.5 A
Drain to Source Resistance70 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Dual Supply Voltage650 V
Max Operating Temperature150 °C
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance70 mΩ
Package Quantity240
Power Dissipation391 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time90 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen