Infineon IPW50R199CPFKSA1
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-10-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2018-08-31
LTD Date2019-02-28
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTW26NM60N
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 20 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247 package
InfineonIPW50R190CEFKSA1
Mosfet Transistor, N Channel, 18.5 A, 500 V, 0.17 Ohm, 13 V, 3 V Rohs Compliant: Yes
STMicroelectronicsSTW28N65M2
N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW24N60M2
N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
InfineonIPW50R280CEFKSA1
92W(Tc) 20V 3.5V@ 350¦ÌA 32.6nC@ 10 V 1N 500V 280m¦¸@ 4.2A,13V 13A 773pF@100V TO-247 21.1mm
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPW50R199CPFKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet Transistor, N Channel, 17 A, 550 V, 199 Mohm, 10 V, 3 V Rohs Compliant: Yes
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 500V, 0.199ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
CoolMOS CP, Infineon's fifth series of CoolMOS, is designed for hard and soft switching topologies, CCM PFC as well as PWM for ATX, notebook adapter PDP and LCD TV. | Summary of Features: Lowest figure of merit R on x Q g; Ultra low gate charge; Extreme dv/dt rate; Ultra low R DS(on), ultra low gate charge, very fast switching; V th 3 V, g fs very high, internal R g very low; High current capability; Significant reduction of conduction and switching losses; High power density and efficiency for superior power conversion systems; Best-in-class price/performance ratio | Target Applications: Solar; Server; Telecom; Consumer; Adapter; PC power
MOSFET, N CH, 550V, 17A, TO-247-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 17A; Drain Source Voltage Vds: 550V; On Resistance Rds(on): 0.18ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Pow
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Resistance199 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.8 nF
Max Dual Supply Voltage500 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation139 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance199 mΩ
Package Quantity240
Power Dissipation139 W
Rds On Max199 mΩ
Rise Time14 ns
Turn-Off Delay Time80 ns
Turn-On Delay Time35 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen