STMicroelectronics STW28N65M2
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-12-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIPW65R150CFDFKSA1
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3 N-Channel 650 V 22.4A (Tc) 195.3W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
STMicroelectronicsSTW33N60M2
N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW24N60M2
N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
InfineonIPW60R160P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3 N-Channel 600 V 23.8A (Tc) 176W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
STMicroelectronicsSTW33N60DM2
N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
InfineonIPW60R230P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 16.8A TO247-3 / N-Channel 600 V 16.8A (Tc) 126W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW28N65M2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
MOSFET N-CH 650V 20A TO247 / N-Channel 650 V 20A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247-3
STW28N65M2 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 20 A, 650 V, 3-PIN TO-247
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 650V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
MOSFET, N-CH, 650V, 20A, 170W, TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 20A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.15ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V;
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Drain to Source Resistance180 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.44 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation170 W
Min Breakdown Voltage650 V
Number of Elements1
Rds On Max180 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time59 ns
Turn-On Delay Time13.4 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
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