Infineon IPP90R500C3
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-07-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2018-08-31
LTD Date2019-02-28
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTF13N80K5
N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
onsemiFCPF380N65FL1
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FRFET®, 650 V, 10.2 A, 380 mΩ, TO-220F
InfineonIPA90R500C3XKSA2
Power Transistor MOSFET N-Channel Enhancement 900V 11A 3-Pin TO-220FP
STMicroelectronicsSTF15N80K5
N-channel 800 V, 0.3 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTF15N95K5
N-channel 950 V, 0.41 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
VishaySIHF12N65E-GE3
E Series N Channel 650 V 380 mO 70 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPP90R500C3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
CoolMOS™ Power Transistor | MOSFET N-CH 900V 11A TO220-3
11 A 900 V 0.5 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 900V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:900V; On Resistance Rds(on):500mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:156W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:11A; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:156W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:900V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance500 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Dual Supply Voltage900 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.7 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation156 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Elements1
Power Dissipation156 W
Rds On Max500 mΩ
Rise Time20 ns
TerminationThrough Hole
Turn-Off Delay Time400 ns
Turn-On Delay Time70 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen