STMicroelectronics STF13N80K5
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-04-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTF15N80K5
N-channel 800 V, 0.3 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF13N80K5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
STF13N80K5 N-channel MOSFET Transistor, 12 A, 800 V, 3-Pin TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube / MOSFET N-CH 800V 12A TO-220FP
35W(Tc) 30V 5V@ 100¦ÌA 29nC@ 10 V 1N 800V 450m¦¸@ 6A,10V 12A 870pF@100V TO-220FP 20mm
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 800V, 12A, To-220Fp; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:800V; Continuous Drain Current Id:12A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STF13N80K5
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance450 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance870 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation35 W
Manufacturer Package IdentifierTO-220FP-7012510
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation35 W
Rds On Max450 mΩ
Rise Time16 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time42 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height20 mm
Length10.6 mm
Width4.6 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant