STMicroelectronics STF15N80K5
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-07-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTF13N80K5
N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
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VishaySIHF15N60E-GE3
34W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 78nC@ 10 V 1N 600V 280m¦¸@ 8A,10V 15A 1.35nF@100V TO-220 16.12mm
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF15N80K5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 800 V, 0.3 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
N-Channel 800 V 14 A 0.375 Ohm SuperMESH 5 Power Mosfet - TO-220
STF15N80K5 N-channel MOSFET Transistor, 14 A, 800 V, 3-Pin TO-220FP
Mosfet, N-Ch, 800V, 14A, 150Deg C, 35W Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STF15N80K5
Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
35W(Tc) 30V 5V@ 100¦ÌA 32nC@ 10 V 1N 800V 375m¦¸@ 7A,10V 14A 1.1nF@100V TO-220FP 20mm
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 800V, 0.375ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance375 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation35 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation35 W
Rds On Max375 mΩ
Rise Time17.6 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time44 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm