Infineon IPP90R340C3XKSA1
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-02-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-12-31
LTD Date2021-06-30
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP21N90K5
N-channel 900 V, 0.25 Ohm typ., 18.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP20NM65N
N-channel 650V, 0.250 Ohm, 15 A, TO-220 second generation MDmesh(TM) Power MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPP90R340C3XKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Power MOSFET, N Channel, 15 A, 900 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 900V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
900V CoolMOS C3 is Infineon's third series of CoolMOS with market entry in 2001. C3 is the "working horse" of the portfolio. | Summary of Features: Low specific on-state resistance (R on*A); Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V; Low gate charge (Q g); Fieldproven CoolMOS quality; CoolMOS technology has been manufactured by Infineon since 1998 | Benefits: High efficiency and power density; Outstanding cost/performance; High reliability; Ease-of-use | Target Applications: Consumer; PC power; Adapter; Lighting
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Drain to Source Resistance340 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.4 nF
Max Dual Supply Voltage900 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation208 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance340 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation208 W
Rds On Max340 mΩ
Rise Time20 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time400 ns
Turn-On Delay Time70 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen