onsemi FDP15N65
$ 1.2
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-02-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-12-04
LTD Date2010-06-04
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP15N80K5
N-channel 800 V, 0.3 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP15NK50Z
N-Channel 500 V 340 mOhm Flange Mount SuperMESH Power Mosfet - TO-220
STMicroelectronicsSTP18N65M2
N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDP15N65, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 650V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs SINGLE, N-CH 500V .38OHM SMPS PWR
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)16 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance440 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time65 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance3.095 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max440 mΩ
Rise Time125 ns
Turn-Off Delay Time105 ns
Datenblätter und Dokumente
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