STMicroelectronics STP18NM80
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-04-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP21NM60ND
N-channel 600 V, 0.17 Ohm typ., 17 A, FDmesh(TM) II Power MOSFET (whit fast diode) in TO-220 package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP18NM80, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 800 V, 0.25 Ohm, 17 A, MDmesh(TM) Power MOSFET in TO-220 package
STP18NM80 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 17 A, 800 V, 3-PIN TO-220
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 800V, 0.295ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 800V, 17A, TO 220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 17A; Drain Source Voltage Vds: 800V; On Resistance Rds(on): 0.25ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -9.36%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance295 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.07 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Power Dissipation190 W
Rds On Max295 mΩ
Resistance295 MΩ
Rise Time28 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time96 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant