Infineon IPP80N06S207AKSA4
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2006-03-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2023-03-31
LTD Date2023-09-30
Verwandte Teile
InfineonIPP100N06S2L05AKSA2
55V, N-Ch, 4.7 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, OptiMOS™, PG-TO220-3, RoHS
InfineonIPP100N06S205AKSA2
Trans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
STMicroelectronicsSTP100N6F7
N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package
InfineonIPP70N04S406AKSA1
40V, N-Ch, 6.5 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, OptiMOS™-T2, PG-TO220-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPP80N06S207AKSA4, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
55V, N-Ch, 6.6 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, OptiMOS™, PG-TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
OPTIMOS POWER-TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; Automotive AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green package (lead free); Ultra low Rds(on); 100% Avalanche tested | Benefits: world's lowest RDS at 55V (on) in planar technology; highest current capability; lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; Optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: Valves control; Solenoids control; Lighting; Single-ended motors
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Resistance6.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Fall Time31 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.4 nF
Max Dual Supply Voltage55 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance6.6 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation250 W
Rds On Max6.6 mΩ
Rise Time35 ns
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen