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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-07-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIPP80N06S207AKSA4
55V, N-Ch, 6.6 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, OptiMOS™, PG-TO220-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDP3205, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
150W(Tc) 5.5V@ 250µA 120nC@ 10V 1individualNChannel 55V 7.5mΩ@ 59A,10V 7.73pF@25V TO-220-3 Through hole mounting
RAIL / N-CH/55V 100A High Qg PT3
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance7.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time18 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.73 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation150 W
Rds On Max7.5 mΩ
Rise Time147 ns
Turn-Off Delay Time42 ns
Datenblätter und Dokumente
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