Infineon IPP200N15N3GXKSA1

Power MOSFET, N Channel, 150 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-220, Through Hole
$ 1.046
Production
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DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
IPP200N15N3GXKSA129550
20h
Newark
2
IPP200N15N3GXKSA11.0321
Arrow Electronics
3
IPP200N15N3GXKSA11.7131
RutronikTMOSP1030740050
43m
Rochester ElectronicsIPP200N15N3GXKSA11.250
17h

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet12 SeitenVor 12 Jahren

Newark

element14 APAC

_legacy Avnet

iiiC

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Lieferkette

Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-05-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Verwandte Teile

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N-CHANNEL 120V - 0.028 Ohm 40A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET™II POWER MOSFET
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Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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onsemiFQP32N12V2
MOSFET N-CH 120V 32A TO-220
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IPP200N15N3GXKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power MOSFET, N Channel, 150 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-220, Through Hole
EBV Elektronik
OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Win Source
150V 50A 150W 20m´Î@10V50A 4V@90Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS
Dasenic
150W 20V 23nC@ 10V 1N 150V 20m¦¸@ 10V 1.82nF@ 75V TO-220 10mm*4.4mm*15.65mm
UnikeyIC
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 150V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Semicontronic
The 150 V OptiMOS™ achieves a reduction in RDS(on) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor.This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS™ part.
Infineon
MOSFET, N CH, 50A, 150V, PG-TO220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):16mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:150W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:50A; Power Dissipation Pd:150W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
element14 APAC
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 50 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 150 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 20 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 6 / Rise Time ns = 11 / Turn-OFF Delay Time ns = 23 / Turn-ON Delay Time ns = 14 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-220 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Power Dissipation (Pd) W = 150
Distrelec

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Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IPP200N15N3 G
  • IPP200N15N3-G
  • IPP200N15N3G
  • IPP200N15N3GXKSA1.
  • SP000680884