Infineon IPP147N12N3GXKSA1
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Lieferkette
Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-07-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Verwandte Teile
InfineonIPP12CN10LGXKSA1
125W 20V 1.2V 58nC@ 10V 1N 100V 12m¦¸@ 10V 69A 4.21nF@ 50V TO-220 10mm*4.4mm*15.65mm
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPP147N12N3GXKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET, N Channel, 120 V, 41 A, 0.0126 ohm, TO-220, Through Hole
107W(Tc) 20V 4V@ 61¦ÌA 49nC@ 10 V 1N 120V 14.7m¦¸@ 56A,10V 56A 3.22nF@60V TO-220 11.17mm
Trans MOSFET N-CH 120V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220
56 A 120 V 0.0147 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 120V, 0.0147ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N-CH, 120V, 41A, TO-220-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 41A; Drain Source Voltage Vds: 120V; On Resistance Rds(on): 0.0126ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; P
The 120 V OptiMOS™ family offers at the same time the lowest on-state resistances of the industry and the fastest switching behavior, allowing for the achievement of outstanding performance in a wide range of applications.The 120 V OptiMOS™ technology gives new possibilites for optimized solutions.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)56 A
Drain to Source Resistance14.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)120 V
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.42 nF
Max Dual Supply Voltage120 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation107 W
Min Breakdown Voltage120 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance14.7 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation107 W
Rise Time9 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time24 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen