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Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-01-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIPP147N12N3GXKSA1
107W(Tc) 20V 4V@ 61¦ÌA 49nC@ 10 V 1N 120V 14.7m¦¸@ 56A,10V 56A 3.22nF@60V TO-220 11.17mm
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQP32N12V2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 120V 32A TO-220
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 120V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFETs N_ch/120V/32A
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET, N, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:32A; Resistance, Rds On:0.043ohm; Case Style:TO-220 (SOT-78B); Current, Idm Pulse:128A; External Length / Height:4.83mm; No. of Pins:3; Power Dissipation:150W; Power, Pd:150W; Resistance, Rds on Max:0.05ohm; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:120V; Voltage, Vgs th Max:4V; Width, External:10.67mm
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)32 A
Current Rating32 A
Drain to Source Breakdown Voltage120 V
Drain to Source Resistance50 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)120 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time158 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.86 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage120 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation150 W
Rds On Max50 mΩ
Rise Time190 ns
Turn-Off Delay Time114 ns
Voltage Rating (DC)120 V
Datenblätter und Dokumente
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